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BSC886N03LS G 零件图片(仅供参考)

BSC886N03LS G
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BSC886N03LS G 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSC886N03LS G
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
  • 系列:OptiMOS
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13A(Ta),65A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):6 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2100pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:39W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:PG-TDSON-8
  • BSC886N03LS G,Cypress(赛普拉斯,INFINEON英飞凌)产品一站式供应商。
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BSC886N03LS G 基本参数:

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