DF200R12W1H3FB11BOMA1 零件图片（仅供参考）
DF200R12W1H3FB11BOMA1 规格参数
- 型号:DF200R12W1H3FB11BOMA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:模块
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MODULE 1200V 30A MODULE
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 配置:三相反相器
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
- 功率 - 最大值:-
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.45V @ 15V，30A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:1 mA
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):6.15 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:是
- 工作温度:-40°C ~ 150°C
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:模块
- DF200R12W1H3FB11BOMA1，Cypress（赛普拉斯，INFINEON英飞凌）产品一站式供应商。
