F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 零件图片（仅供参考）
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1 规格参数
- 型号:F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:模块
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:4 N 沟道（全桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:650V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:39.4 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.45V @ 1.74mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:141nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6950pF @ 400V
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:模块
- F435MR07W1D7S8B11ABPSA1，Cypress（赛普拉斯，INFINEON英飞凌）产品一站式供应商。
