IGT40R070D1E8220ATMA1 零件图片（仅供参考）
IGT40R070D1E8220ATMA1 规格参数
- 型号:IGT40R070D1E8220ATMA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-HSOF-8-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:GAN N-CH 400V 31A HSOF-8-3
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:GaNFET（氮化镓）
- 漏源电压（Vdss）:400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1，6V @ 2，6mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:382 pF @ 320 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:0°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PG-HSOF-8-3
- 封装/外壳:8-PowerSFN
- IGT40R070D1E8220ATMA1，Cypress（赛普拉斯，INFINEON英飞凌）产品一站式供应商。
