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IKB30N65EH5ATMA1 零件图片(仅供参考)

IKB30N65EH5ATMA1
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IKB30N65EH5ATMA1 规格参数

  • 型号:IKB30N65EH5ATMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TO263-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 55A TO263-3
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):55 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,30A
  • 功率 - 最大值:188 W
  • 开关能量:870J(导通),300J(关断)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:70 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:24ns/159ns
  • 测试条件:400V,30A,22 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr):75 ns
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-3
  • IKB30N65EH5ATMA1,Cypress(赛普拉斯,INFINEON英飞凌)产品一站式供应商。
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IKB30N65EH5ATMA1 基本参数:

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