IMSQ120R026M2HHXUMA1 零件图片（仅供参考）
IMSQ120R026M2HHXUMA1 规格参数
- 型号:IMSQ120R026M2HHXUMA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-HDSOP-16-221
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 配置:2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):83A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 27A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.1V @ 8.6mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54nC @ 0V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1990pF @ 800V
- 功率 - 最大值:410W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:24-BSOP（0.606，15.40mm 宽），16 引线，裸焊盘
- 供应商器件封装:PG-HDSOP-16-221
- IMSQ120R026M2HHXUMA1，Cypress（赛普拉斯，INFINEON英飞凌）产品一站式供应商。
