IQE008N03LM5CGSCATMA1 零件图片（仅供参考）
IQE008N03LM5CGSCATMA1 规格参数
- 型号:IQE008N03LM5CGSCATMA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:PG-WHTFN-9
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 9WHTFN
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:9-PowerWDFN
- 供应商器件封装:PG-WHTFN-9
- IQE008N03LM5CGSCATMA1，Cypress（赛普拉斯，INFINEON英飞凌）产品一站式供应商。
