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SPB10N10 G 零件图片（仅供参考）

SPB10N10 G
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SPB10N10 G 规格参数

  • 制造商产品型号：SPB10N10 G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：SIPMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：10.3A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：170 毫欧 @ 7.8A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 21A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19.4nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：426pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：50W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-TO263-3-2
  • SPB10N10 G，Cypress（赛普拉斯，INFINEON英飞凌）产品一站式供应商。
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SPB10N10 G 基本参数：

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