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SPD01N60C3 零件图片（仅供参考）

SPD01N60C3
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SPD01N60C3 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号：SPD01N60C3
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252
  • 系列：CoolMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：650V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：800mA（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 欧姆 @ 500mA，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：100pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：11W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商器件封装：PG-TO252-3
  • SPD01N60C3，Cypress（赛普拉斯，INFINEON英飞凌）产品一站式供应商。
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SPD01N60C3 基本参数：

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