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SPD02N60S5 零件图片(仅供参考)

SPD02N60S5
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SPD02N60S5 规格参数

  • Infineon英飞凌公司完整型号:SPD02N60S5
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252
  • 系列:CoolMOS
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.8A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1.1A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 80A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):240pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:25W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
  • SPD02N60S5,Cypress(赛普拉斯,INFINEON英飞凌)产品一站式供应商。
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SPD02N60S5 基本参数:

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